«Կիսահաղորդիչներ»–ի խմբագրումների տարբերություն

Content deleted Content added
չ հ․ 5, էջ 444 oգտվելով ԱՎԲ
չNo edit summary
Տող 3.
'''Կիսահաղորդիչներ''', նյութերի լայն դաս, որոնք ըստ էլեկտրահաղորդականության միջանկյալ տեղ են գրավում հաղորդիչների և դիէլեկտրիկների շարքում։ Կիսահաղորդիչների տեսակարար էլեկտրահաղորդականությունը (a) սենյակային ջերմաստիճանում ընկած է 10<sup>−6</sup> - 10<sup>6</sup> օհմ<sup>−1</sup> * սմ<sup>−1</sup> միջակայքում, այն էապես կախված է նյութի կառուցվածքից, խառնուրդների տեսակից և քանակից, ինչպես նաև արտաքին պայմաններից ([[ջերմաստիճան]], [[ճնշում]], [[լուսավորում]], տարրական մասնիկներով ռմբակոծում, էլեկտրական և մագնիսական դաշտերի առկայություն)։ Մետաղների (հաղորդիչներ) համեմատությամբ՝ կիսահաղորդիչների բնորոշ առանձնահատկությունն այն է, որ ջերմաստիճանի բարձրացման հետ տեսակարար էլեկտրահաղորդականությունը աճում է։ Կիսահաղորդիչները կարող են լինել ինչպես բյուրեղային, այնպես էլ [[ամորֆ նյութեր|ամորֆ]] և [[հեղուկ]] նյութերը։ Կիսահաղորդիչների շարքն են դասվում քիմիական որոշ տարրերի ([[սիլիցիում]], [[գերմանիում]], [[սելեն]], [[տելուր]], [[արսեն]], [[ֆոսֆոր]] և այլն) բյուրեղները, [[օքսիդներ]]ի, [[սուլֆիդներ]]ի, սելենիդների և թելուրիդների մեծ մասը, որոշ համաձուլվածքներ, շատ միներալներ և այլն։
 
Ըստ գոտիների տեսության՝ T=0 K ջերմաստիճանում բյուրեղային կիսահաղորդիչներում մասնակիորեն լրացված գոտիներ չկան, իսկ EK արգելված գոտին մի քանի էլեկտրոն վոլտից մեծ չէ. ուստի կիսահաղորդիչներում ազատ լիցքակիրներ իլիցքակիրների հայտ են գալիս, երբ դրանց [[էներգիա]] (օրինակ, ջերմային) է հաղորդվում։ Լիցքակիրների առաջացման բնույթից կախված, տարբերում են երկու տեսակի կիսահաղորդիչներ՝ սեփական և խառնուրդային (ավելի ճիշտ՝ սեփական և խառնուրդային հաղորդականության կիսահաղորդիչներ)։ Սեփական կիսահաղորդիչներում (իդեալական, արատներից զուրկ բյուրեղներ) T>0 դեպքում էլեկտրոնների մի մասը արժեքականության գոտուց տեղափոխվում է հաղորդականության գոտի. արժեքականության գոտում ազատվում են մակարդակներ, որոնք կարող են զբաղեցվել այդ գոտու այլ էլեկտրոններով։ Այդպիսի թափուր տեղերը կոչվում են խոռոչներ, արտաքին էլեկտրական դաշտում դրանք ուղղորդված շարժում են կատարում էլեկտրոնների շարժմանը հակառակ ուղղությամբ, կարծես օժտված լինեն էլեկտրոնի լիցքին հավասար դրական լիցքով։ Այսպիսով, սեփական կիսահաղորդիչներում արժեքական կապերի խզման հետևանքով ստեղծվում են հավասար քանակության [[էլեկտրոն]]ներ և խոռոչներ՝ համապատասխանաբար հաղորդականության և արժեքականության գոտիներում։
 
Խառնուրդ պարունակող կիսահաղորդիչները կոչվում են ''խառնուրդային''։ Իրական կիսահաղորդիչներում (հատկապես ցածր ջերմաստիճաններում) լիցքակիրների, հետևաբար և [[հոսանք]]ի բնույթը որոշվում է բյուրեղ ներմուծված խառնուրդների տեսակով։ Այսպես, եթե [[սիլիցիում]]ի բյուրեղ է ներմուծվում [[Մենդելեևի պարբերական համակարգ]]ի V խմբի որևէ տարրի (օրինակ, արսենի) ատոմ, որն արտաքին թաղանթում ունի հինգ արժեքական էլեկտրոն, ապա դրանցից չորսը [[կովալենտ կապ]]ի մեջ են մտնում Si-ի հարևան [[ատոմ]]ների հետ, իսկ հինգերորդը խառնուրդի դրական իոնի հետ գտնվում էթույլ կապված վիճակում։