«Օհմի օրենք»–ի խմբագրումների տարբերություն

չ
oգտվելով ԱՎԲ
չ (oգտվելով ԱՎԲ)
{{Էլեկտրամագնիսականություն}}
'''Օհմի օրենք''' , էլեկտրական շղթայի հիմնական օրենքներից մեկը. կապ է հաստատում հաղորդիչով անցնող I [[հոսանքի ուժ]]ի և այդ հաղորդչի երկու սևեռված կետերի (կտրվածքների) U [[Էլեկտրական լարում|պոտենցիալների տարբերության]] (լարման) միջև.
 
:<math>U = IR </math>։
 
Համեմատականության R գործակիցը կոչվում է ''օհմական դիմադրություն'' կամ պարզապես հաղորդիչի տվյալ տեղամասի [[Դիմադրություն (էլեկտրական)|դիմադրություն]]։ Հայտնագործել է [[Գեորգ Օհմ]]ը 1826 թ-ին։
 
Ընդհանուր դեպքում I-ի և U-ի կախումը ոչ գծային է, սակայն գործնականում, լարումների որոշակի միջակայքում այն կարելի է համարել գծային և կիրառել Օհմի օրենքը։ Վերը գրված տեսքով Օհմի օրենքը ճիշտ է շղթայի՝ էլշուի աղբյուրներ չպարունակող տեղամասերի համար։ Այդպիսի աղբյուրների (կուտակիչ գեներատորներ ևն) առկայության դեպքում Օհմի օրենքն ունի
 
:<math>IR = U + \varepsilon</math>
 
տեսքը, որտեղ <math>\varepsilon</math>-ն տվյալ տեղամասում պարունակվող բոլոր աղբյուրների [[էլշու]]ն է։
 
Օհմի օրենքի ընդհանրացումը ճյուղավորված շղթայի համար [[Կիրխհոֆի կանոններ#Կիրխհոֆի երկրորդ կանոն|Կիրխհոֆի երկրորդ կանոնն]] է։
 
== Օհմի օրենքը փակ շղթայի համար ==
 
== Օհմի օրենքը դիֆերենցիալ տեսքով ==
Օհմի օրենքը կարելի է գրել դիֆերենցիալ տեսքով՝
 
:<math>\rho \vec j = \vec E + \vec E_{k} </math>
կամ
:<math>\vec j = \sigma(\vec E + \vec E_{k})</math>,
որտեղ <math>\vec j</math> -ն [[հոսանքի խտություն]]ն է, ρ-ն՝ հաղորդչի [[տեսակարար դիմադրություն]]ը, σ=1/ρ-ն՝ [[տեսակարար էլեկտրահաղորդականություն]]ը, <math>\vec E</math>-ն՝ պոտենցիալ [[էլեկտրական դաշտի լարվածություն]]ը, <math>\vec E_k</math>-ն՝ ոչ էլեկտրաստատիկ բնույթի ուժերի (ինդուկցիոն, քիմիական, ջերմային ևն) ստեղծված կողմնակի դաշտի լարվածությունը։
 
Օհմի օրենքը կոմպլեքս տեսքով ճիշտ է նաև սինուսարդային քվազիստացիոնար հոսանքների համար.