«Սեգնետաէլեկտրիկներ»–ի խմբագրումների տարբերություն

Content deleted Content added
չNo edit summary
չNo edit summary
Տող 1.
'''Սեգնետաէլեկտրիկներ, '''բևեռային [[դիէլեկտրիկ|դիէլեկտրիկներ]], որոնց բևեռացման [[վեկտոր]]ի կախումը [[էլեկտրական դաշտի լարվածություն]]ից ոչ գծային է: Սեգնետաէլեկտրիկներում, նույնիսկ [[էլեկտրական դաշտ]]ի բացակայության պայմաններում, ինքնաբերաբար առաջանում են այնպիսի տիրույթներ, որոնց բևեռացման վեկտորը զրոյից տարբեր է: Այդ տիրույթները կոչվում են դիէլեկտրական [[դոմեն]]ներ ([[ֆրանսերեն]] «դոմեն»` տիրույթ բառից): Դրանց չափը 1-100 միկրոմետր է:
 
== Հատկություններ ==
Էլեկտրական դաշտի բացակայությամբ դոմենների բևեռացման վեկտորների ուղությունները տարբեր են, բայց էլեկտրական դաշտի առկայությամբ դոմենները կողմնորոշվում են լարվածության վեկտորի ուղղությամբ` բևեռացնելով դիէլեկտրիկը: Ուժեղացնելով էլեկտրական դաշտը` կարելի է սեգնետաէլեկտրիկի բոլոր դոմենների ուղղությունները դարձնել նույնը: Էլեկտրական դաշտը վերացնելուց հետո սեգնետաէլեկտրիկի բևեռացված վիճակը լրիվ չի անհետանում: Դոմենների մի մասը դրանից հետո էլ պահպանում է իր սկզբնական կողմնորոշումը, որի հետևանքով ամբողջ սեգնետաէլեկտրիկը դեռևս մնում է բևեռացված: Բևեռացման այս տեսակը կոչվում է մնացորդային բևեռացում:
 
=== Կախում ջերմաստիճանից ===
Սեգնետաէլեկտրիկները, որպես կանոն, իրենց այդօրինակ բևեռացված վիճակը պահպանում են որոշակի [[ջերմաստիճան]]ային միջակայքոջմ: Օրինակ` [[բարիում]]ի [[տիտան]]ատը` BaTiO<sub>3</sub>, 120°C-ից բարձր ջերմաստիճանում արդեն դառնում է սովորական բևեռային դիէլեկտրիկ: [[Սեգնետյան աղ]]ը` NaKC<sub>4</sub>H<sub>4</sub>O<sub>6</sub>·4H<sub>2</sub>O (որից էլ առաջացել է դիէլեկտրիկների այս դասի անվանումը), սովորական դիէլեկտրիկի է վերածվում -18°C-ից ցածր և 24°C-ից բարձր ջերմաստիճաններում:
 
=== Դիէլեկտրական թափանցելիություն ===
Սեգնետաէլեկտրիկներում [[դիէլեկտրական թափանցելիություն]]ը սովորաբար չափազանց մեծ է (ε~10<sup>4</sup>):