Բացել գլխավոր ցանկը

Changes

Առանց խմբագրման ամփոփման
{{Քիմիական տարր
[[Պատկեր:Si-TableImage.png|մինի|Սիլիցիում]]
| անվանում =Սիլիցիում / Silicium (Si)
{{Նշան|Si}}
| համար = 14
| սիմվոլ = Si
| վերևից =[[Ածխածին|C]]
| ներքևից =[[Գերմանիում|Ge]]
| խումբ =
| պարբերություն =
| բլոկ =
| արտաքին տեսք =[[Պատկեր:SiliconCroda.jpg|150 px|Կիսաբյուրեղային սիլիցիում({{nobr|99,9 %}})]]<br />Շականակագույն, ամորֆ փոշի,<br /> մետաղական փայլով, մոխրագույն, դժվարահալ և կարծր նյութ է:
| պատկեր =Silicon Spectra.jpg
| ատոմային զանգված = [28,084; 28,086]<ref name="iupac atomic weights">{{ռուսերեն հոդված|автор=Michael E. Wieser, Norman Holden, Tyler B. Coplen, John K. Böhlke, Michael Berglund, Willi A. Brand, Paul De Bièvre, Manfred Gröning, Robert D. Loss, Juris Meija, Takafumi Hirata, Thomas Prohaska, Ronny Schoenberg, Glenda O’Connor, Thomas Walczyk, Shige Yoneda, Xiang‑Kun Zhu.|заглавие=Atomic weights of the elements 2011 (IUPAC Technical Report)|ссылка=http://iupac.org/publications/pac/85/5/1047/|язык=en|издание=[[Pure and Applied Chemistry]]|год=2013|том=85|номер=5|страницы=1047-1078|doi=10.1351/PAC-REP-13-03-02}}</ref>
| радиус атома =
| энергия ионизации 1 =
| конфигурация =
| ковалентный радиус =
| радиус иона =
| электроотрицательность =
| կոնֆիգուրացիա = [Ne] 3s<sup>2</sup> 3p<sup>2</sup>; [Ne] 3s 3p<sup>3</sup>
| էլեկտրոնային թաղանթ =
| ատոմի շառավիղ = 132
| կովալենտային շառավիղ = 111
| Վան-դեր-Վալսի շառավիղ =
| իոնի շառավիղ =42 (+4e) 271 (-4e)
| էլեկտրաբացասականություն =1,90
| էլեկտրոդային պոտենցիալ =0
| օքսիդացման աստիճան =+4, +2, 0, −4
| իոնիզացման էներգիա 1 =786,0 (8,15)
| իոնիզացման էներգիա 2 =
| իոնիզացման էներգիա 3 =
| ֆազ =
| խտություն =2,33
| խտություն2 =
| խտություն3 =
| խտություն հջ =
| հալման ջերմաստիճան =1414,85 °C (1688 K)
| եռման ջերմաստիճան =2349,85 °C (2623 K)
| կրիտիկական կետ Կ =
| հալման ջերմունակություն =50,6
| հալման ջերմունակություն2 =
| գոլորշիացման ջերմունակություն =
| ջերմունակություն = 20,16<ref name="ХЭ">{{ռուսերեն գիրք
|заглавие = Химическая энциклопедия: в 5-ти тт.
|ответственный = Редкол.:Кнунянц И. Л. (гл. ред.)
|место = Москва
|издательство = Советская энциклопедия
|год = 1990
|том = 2
|страницы = 508
|страниц = 671
|тираж = 100 000
}}
</ref>
| էլեկտրոդային պոտենցիալ=
| իոնիզացման էներգիա 1 = 786,0 (8,15)
| իոնիզացման էներգիա 2 =
| իոնիզացման էներգիա 3 =
| ֆազ =
| խտություն =2,33
| խտություն2 =
| խտություն3 =
| խտություն հջ =
| հալման ջերմաստիճան =1414,85 °C (1688 K)
| եռման ջերմաստիճան = 2349,85 °C (2623 K)
| կրիտիկական կետ Կ =
| հալման ջերմունակություն =50,6
| հալման ջերմունակություն2 =
| գոլորշիացման ջերմունակություն =
| խտություն = 2,33
| ջերմունակության = 20,16<ref name="ХЭ">{{ռուսերեն գիրք
|заглавие = Химическая энциклопедия: в 5-ти тт.
|ответственный = Редкол.:Кнунянц И. Л. (гл. ред.)
|место = Москва
|издательство = Советская энциклопедия
|год = 1990
|том = 2
|страницы = 508
|страниц = 671
|тираж = 100 000
}}
</ref>
| ջերմունակություն2 =
| մոլային ծավալ = 12,1
| հագեցած գոլորշի =
| ճնշում հգ 1 =
| ճնշում հգ 10 =
| ճնշում հգ 100 =
| ճնշում հգ 1 k =
| ճնշում հգ 10 k =
| ճնշում հգ 100 k =
| բյուրեղացանցի կառուցվածք = խորանարդ, ադամանդ
| բյուրեղացանցի տվյալներ =5,4307
| c/a հարաբերություն =
| Դեբայի ջերմաստիճան =645±5<ref>При температуре 0 К. Баранский П. И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника. Справочник. - Киев, «Наукова думка», 1975 г. 704 с. ил.</ref>
| մագնիսական կառուցվածք =
| տեսակարար դիմադրություն =
| ջերմահաղորդականություն = 149
| ջերմաստիճանահաղորդականություն =
| ջերմային ընդարձակում =
| ձայնի արագություն =
| Յունգի մոդուլ =
| cAS համար =
| արգելվող գոտի =
| իզոտոպներ =
| իզոտոպներ լրացումներ =
}}
{{Պարբերական համակարգի տարր|align=center|fontsize=100%|number=14}}
 
'''Սիլիցիում''' գտնվում է տարրերի [[պարբերական համակարգ]]ի 4-րդ խմբի գլխավոր ենթախմբում, որի քիմիական նշանն է ''Si'' և ատոմային թիվը՝ 14։ Արտաքին [[էլեկտրոն]]ային շերտում ունի 4 վալենտային էլեկտրոն՝ ns<sup>2</sup>np<sup>2</sup> վիճակում: Բնորոշ են -4, +2, +4 [[օքսիդացման աստիճան]]ներ:
'''Սիլիցիում''', քիմիական տարր է, որի նշանն է ''Si'' և ատոմային թիվը՝ 14։
 
== Պատմություն ==
[[Թթվածին|Թթվածնից]] հետո սիլիցիումը բնության մեջ ամենատարածված էլեմենտն է։ Նա կազմում է երկրի կեղևի կշռի 1/4 մասը և այնպիսի կարևոր դեր է խաղում անկենդան աշխարհում, որպիսին [[ածխածին]]ը կենդանի բնության մեջ։ Ի տարբերությոն ածխածնի, սիլիցիումը բնության մեջ ազատ վիճակում չի հանդիպում։ Նրա բազմաթիվ միացությունները կազմում են լեռնատեսակների ([[գրանիտ]]ներ, գնեյսներ, [[բազալտ]]ներ) և հանքերի հսկայական մեծամասնությունը ([[կվարց]], [[դաշտաշպատ]]ներ, [[փայլար]] և այլն)։ [[Ավազ]]ը և [[կավ]]ը, որոնք կազմում են հողի հանքային մասը, նույնպես սիլիցիումի միացություններ են հանդիսանում։
Մաքուր վիճակում առաջին անգամ հայտնաբերվել է [[1811]] թվականին ֆրանսիացի գիտնական [[Ժոզեֆ Լուի Գեյ-Լյուսակ]]ի և Լուի Ժակ Թենարի կողմից:
 
== Անվան ծագում ==
[[1825]] թվականին շվեդ քիմիոս Յակոբ Բերցելյուսի ազդելով մետաղական [[կալիում]]ով [[սիլիցիումի ֆտորիդ]]ի վրա SiF<sub>4</sub> ստացավ մաքուր սիլիցիում: Նոր ստացված տարրն վաղուց անվանել էին «սիլիցիում» ({{lang-la|''silex''}} - [[կայծքար]]): Թարգմանաբար {{lang-grc|''κρημνός''}} - «ժայռ, լեռ»:
 
== Բնության մեջ ==
[[Թթվածին|Թթվածնից]] հետո սիլիցիումը բնության մեջ ամենատարածված էլեմենտն է։ Նա կազմում է երկրի կեղևի կշռի 1/4 մասը և այնպիսի կարևոր դեր է խաղում անկենդան աշխարհում, որպիսին [[ածխածին]]ը կենդանի բնության մեջ։ Ի տարբերությոն [[Ածխածին|ածխածնի]], սիլիցիումը բնության մեջ ազատ վիճակում չի հանդիպում։ Նրա բազմաթիվ միացությունները կազմում են լեռնատեսակների ([[գրանիտ]]ներ, գնեյսներ, [[բազալտ]]ներ) և հանքերի հսկայական մեծամասնությունը ([[կվարց]], [[դաշտաշպատ]]ներ, [[փայլար]] և այլն)։ [[Ավազ]]ը և [[կավ]]ը, որոնք կազմում են հողի հանքային մասը, նույնպես սիլիցիումի միացություններ են հանդիսանում։ Ծովի ջրերում կոնցենտրացիան հավասար է 3 մգ/լ<ref>J.P. Riley and Skirrow G. Chemical Oceanography V. 1, 1965</ref>:
 
== Ստացում ==
<blockquote>«Սիլիցիումը ստանում են՝ բարձր ջերմաստիճանում փոխազդեցության մեջ դնելով քվարցային ավազը մագնեզիումի հետ.
: <math>~\mathsf{SiO_2+2Mg \ \rightarrow \ 2MgO+Si}</math>
Այդպես է ստացվում շականակագույն փոշի ''ամորֆ սիլիցիում''»<ref>{{ռուսերեն գիրք|автор=Глинка Н.Л.|заглавие=Общая химия|издание=24-е изд., испр |место=Л.|издательство=Химия|год=1985|страницы=492|страниц=702}}</ref>:</blockquote>
 
Սիլիցիումը ստանում են էլեկտրական վառարաններում, բարձր ջերմաստիճաններում սիլիցիումի դիօքսիդը (ավազը) ածուխով վերականգնելով՝
: <math>~\mathsf {SiO_2 + 2C \rightarrow \ 2CO + Si}</math>
 
Առավել մաքուր սիլիցիում ստանում են սիլիցիումի քլորիդի և ցինկի գոլորշիների փոխազդեցության միջոցով.
: <math>~\mathsf{SiCl_4 + 2Zn \rightarrow \ Si + 2ZnCl_2}</math>
 
== Հատկություններ ==
Բյուրեղային սիլիցիումը որոշ նմանություն ունի մետաղների հետ․ նա ունի փայլ և էլէկտրահաղորդականություն․ սակայն թթուների հետ այն չի փոխազդում։ Մանրացված սիլիցիումը զգալի չափով տաքացնելիս օդի մեջ բռնկվում է, գոյացնելով [[սիլիցիումի դիօքսիդ]] (SiO</sub>2)՝
: <math>~\mathsf {Si + O_2 \rightarrow \ SiO_2}</math>
 
== Օգտագործում ==
:Si + O<sub>2</sub> = SiO</sub>2
 
== Օգտագործումը ==
Սիլիցիումը գործադրվում է համաձուլվածքների արտադրության մեջ։ 4% սիլիցիում պարունակող [[պողպատ]]ը օգտագործվում է էլեկտրական [[տրանսֆորմատոր]]ներ պատրաստելու համար։ Ավելի մեծ տոկոս (15% և ավելի) սիլիցիում պարունակող պողպատը թթվակայուն է և կիրառվում է քիմիական ապարատներ պատրաստելու համար։
 
 
Սիլիցիումի միացությունը ածխածնի հետ, [[սիլիցիումի կարբիդ]]ը (SiC), կոչվում է [[կարբորունդ]]։ Այն իր կարծրությամբ մոտենում է [[ալմաստ]]ին և դրա համար էլ օգտագործվում է հեսանաքարեր, հղկող շրջանակներ պատրաստելու և այլ, այսպես կոչված, հղկման նյոթերի համար։
 
== Ստացումը ==
Սիլիցիումը ստանում են էլեկտրական վառարաններում, բարձր ջերմաստիճաններում սիլիցիումի դիօքսիդը (ավազը) ածուխով վերականգնելով՝
 
:SiO<sub>2</sub> + 2C = Si + 2CO
 
== Տեսեք նաև ==
* [[Պարբերական աղյուսակ]]
 
== Ծանոթագրություններ ==
{{ծանցանկ}}
 
== Աղբյուրներ ==