«Օհմի օրենք»–ի խմբագրումների տարբերություն

R-շղթայի դիմադրություն ]] ուժի (I) և այդ հաղորդչի երկու սևեռված կետերի(կտրվածքների) պոտենցիալների տարբերության (լարման, U) միջև. U=rI։[[File:Cs111.png|բանc111]]։ Համեմատականության r գործակիցը կոչվում է օհմական դիմադրություն կամպարզապես հաղորդիչի տվյալ տեղամասի դիմադրություն։ Հայտնագործել է [[Գեորգ Օհմ]]ը 1826 թ-ին։ Ընդհանուր դեպքում I-ի և U-ի կախումը ոչ գծային է, սակայն գործնականում, լարումների որոշակի միջակայքում այն կարելի է համարել գծային և կիրառել Օհմի օրենքը։ Վերը գրված տեսքով Օհմի օրենքը ճիշտ է շղթայի՝ էլշուի աղբյուրներ չպարունակող տեղամասերի համար։ Այդպիսի աղբյուրների (կուտակիչ գեներատորներ ևն) առկայության դեպքում Օհմի օրենքն ունի rI=U+Ɛ[[File:Cs2.png|բանc2]] տեսքը, որտեղ Ɛ-ն տվյալ տեղամասում պարունակվող բոլոր աղբյուրների էլշուն է։ Փակ շղթայի համար Օհմի օրենքը ստանում է r_nI=Ɛ[[File:Cs33.png|բանc33]] տեսքը, որտեղ r_n=r+r_i [[File:Cs4.png|բանc4]]-ն շղթայի լրիվդիմադրությունն է՝ արտաքին r և էլշուի աղբյուրի ներքին (r_i)[[File:Cs12.png|բանc12]] դիմադրությունների գումարը։Օհմի օրենքի ընդհանրացումը ճյուղավորված շղթայի համար Կիրխհոֆի երկրորդ կանոնն է։ Օհմի օրենքը կարելի է գրել դիֆերենցիալ տեսքով՝ ρյ=E+E_կողմ[[File:Cs54.png|բանc54]] կամ յ=σ(E+E_կողմ[[File:Cs6.)png|բանc6]], որտեղ յ-ն հոսանքի խտությունն է, ρ-ն՝ հաղորդչի տեսակարար դիմադրությունը, σ=1/ρ[[File:Cs7.png|բանc7]]-ն՝ տեսակարար էլեկտրոհաղորդականությունը, E-[[File:Cs10.png|բանc10]]ն՝ պոտենցիալ էլեկտրական դաշտի լարվածությունը, E_կողմ[[File:Cs11.png|բանc11]]-ը՝ ոչ էլեկտրաստատիկ բնույթի ուժերի (ինդուկցիոն, քիմիական, ջերմային ևն) ստեղծված կողմնակի դաշտի լարվածությունը։Օհմի օրենքը կոմպլեքս տեսքով ճիշտ է նաև սինուսարդային քվազիստացիոնար հոսանքների համար. zI=Ɛ[[File:Cs8.png|բանc8]], որտեղ z=r+ix[[File:Cs9.png|բանc9]]-ը լրիվ կոմպլեքս դիմադրությունն է (r-ը շղթայի ակտիվ դիմադրությունն է, x-ը ռեակտիվ դիմադրությունը)։