«Օհմի օրենք»–ի խմբագրումների տարբերություն

Ավելացվել է 58 բայտ ,  6 տարի առաջ
չ (→‎Օհմի օրենք: clean up, փոխարինվեց: : → ։ (2) oգտվելով ԱՎԲ)
I-հոսանքի ուժ<br />
R-շղթայի դիմադրություն ]] ուժի (I) և այդ հաղորդչի երկու սևեռված կետերի(կտրվածքների) պոտենցիալների տարբերության (լարման, U) միջև. U=rI։ Համեմատականության r գործակիցը կոչվում է օհմական դիմադրություն կամպարզապես հաղորդիչի տվյալ տեղամասի դիմադրություն։ Հայտնագործել է [[Գեորգ Օհմ]]ը 1826 թ-ին։ Ընդհանուր դեպքում I-ի և U-ի կախումը ոչ գծային է, սակայն գործնականում, լարումների որոշակի միջակայքում այն կարելի է համարել գծային և կիրառել Օհմի օրենքը։ Վերը գրված տեսքով Օհմի օրենքը ճիշտ է շղթայի՝ էլշուի աղբյուրներ չպարունակող տեղամասերի համար։ Այդպիսի աղբյուրների (կուտակիչ գեներատորներ ևն) առկայության դեպքում Օհմի օրենքն ունի rI=U+Ɛ տեսքը, որտեղ Ɛ-ն տվյալ տեղամասում պարունակվող բոլոր աղբյուրների էլշուն է։ Փակ շղթայի համար Օհմի օրենքը ստանում է r_nI=Ɛ տեսքը, որտեղ r_n=r+r_i-ն շղթայի լրիվդիմադրությունն է՝ արտաքին r և էլշուի աղբյուրի ներքին (r_i) դիմադրությունների գումարը։Օհմի օրենքի ընդհանրացումը ճյուղավորված շղթայի համար Կիրխհոֆի երկրորդ կանոնն է։ Օհմի օրենքը կարելի է գրել դիֆերենցիալ տեսքով՝ ρյ=E+E_կողմ. կամ յ=σ(E+E_կողմ.), որտեղ յ-ն հոսանքի խտությունն է, ρ-ն՝ հաղորդչի տեսակարար դիմադրությունը, σ=1/ρ-ն՝ տեսակարար էլեկտրոհաղորդականությունը, E-ն՝ պոտենցիալ էլեկտրական դաշտի լարվածությունը, E_կողմ.-ը՝ ոչ էլեկտրաստատիկ բնույթի ուժերի (ինդուկցիոն, քիմիական, ջերմային ևն) ստեղծված կողմնակի դաշտի լարվածությունը։Օհմի օրենքը կոմպլեքս տեսքով ճիշտ է նաև սինուսարդային քվազիստացիոնար հոսանքների համար. zI=Ɛ, որտեղ z=r+ix-ը լրիվ կոմպլեքս դիմադրությունն է (r-ը շղթայի ակտիվ դիմադրությունն է, x-ը ռեակտիվ դիմադրությունը)։
 
[[Կատեգորիա:Ֆիզիկայի օրենքներ]]
51 297

edits