Պատկեր:Технология выращенного транзистора.PNG
Նախադիտման չափ՝ 800 × 587 պիքսել։ Այլ թույլտվությաններ: 320 × 235 պիքսել | 640 × 469 պիքսել | 1009 × 740 պիքսել.
Սկզբնական նիշք (1009 × 740 փիքսել, նիշքի չափը՝ 47 ԿԲ, MIME-տեսակը՝ image/png)
| Նկարագրում |
Технология производства транзисторов выращиванием из расплава - первая вообще технология производства плоскостных транзисторов (1950). Один монокристалл = одна пара pn-переходов = несколько десятков транзисторов. The first historical junction transistor technology (1950, Morgan Sparks): one crystal rod = one pair of junctions = a dozen or two of transistors. |
| Թվական | |
| Աղբյուր | Բեռնողի սեփական աշխատանք по мотивам патента Спаркса / Bell Labs 1950 года |
| Հեղինակ | user:Retired Electrician |
|
Այս պատկերը հեղինակային իրավունքներով չի պաշտպանվում, որովհետև փծուն է, գեղարվեստական արժեք չունի, բաղկացած է միայն հանրահայտ տարրերից, ուրոնք հեղինակ չունեն: |
Նիշքի պատմություն
Մատնահարեք օրվան/ժամին՝ նիշքի այդ պահին տեսքը դիտելու համար։
| Օր/Ժամ | Մանրապատկեր | Օբյեկտի չափը | Մասնակից | Մեկնաբանություն | |
|---|---|---|---|---|---|
| ընթացիկ | 08:19, 25 Մարտի 2012 | | 1009 × 740 (47 ԿԲ) | Retired electrician | {{Information |Description=Технология производства транзисторов выращиванием из расплава - первая вообще технология производства плоскостных транз... |
Նիշքի օգտագործում
Հետևյալ էջը հղվում է այս նիշքին՝
Նիշքի համընդհանուր օգտագործում
Հետևյալ այլ վիքիները օգտագործում են այս նիշքը՝
- Օգտագործումը ru.wikipedia.org կայքում
- Օգտագործումը uk.wikipedia.org կայքում
